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标准集团工程师解读电力MOSFET的主要参数有那些
时间: 2023-09-27点击量:

上海千实精密机电科技有限公司成立于2012年,专注于研发、设计及生产纺织测试仪器,为学术研究单位及检测机构提供纺织测试仪器和服务,上海千实是目前国内较有竞争力和研发实力的纺织检测仪器厂家之一,研发团队由一群经验丰富的工程师组成,我们本着全心全意为客户服务,努力推动纺织检测仪器技术革新而努力,上海泛标纺织品检测技术有限公司是内地分公司,标准集团(香港)有限公司是总公司,作为一家集研发、制造、销售、培训、服务于一体的现代技术企业,致力于将更多检测仪器输送市场,提供纺织类、皮革类、燃烧类、汽车内外饰件、材料环境气候老化等等检测仪器,更可接受非标定制,购买前均可按照客户的要求进行针对性试验,确保所购仪器适用。

电力MOSFET中文名字是电力场效应管,是一种结型电力场效应晶体管,具有开关快,频率高,电流容量小,耐压低等等优点,那么它的主要参数有哪些呢,小编给大家讲解一下:

(1)漏源击穿电压UDss
UDss常为结溫在25~150℃之间时漏源极的击穿电压。该参数限制了MOSFET的工作电压,常用的MOSFET的UDSS通常在1000V以下,尤其以500V及以下器件的各项性能。需要注意的是常用的MOSFET的漏源击穿电压具有正酿系数,因此在温度低于测试条件时,UDSS值会低;于产品手册数据。
(2)漏极连续电流额定值Id和漏极脉冲电流峰值IDM
这是标称电力MOSFET电流定额的参数,一般情况下:IDM是ID的2-4倍。工作温度对器件的漏极电流影响很大,产品的生产厂商通常也会给出不同壳温下,允许的漏极连续电流变化情况。在实际器件参数计算时,必须考虑其损耗及散热情况得出壳温,由此核算它的电流定额。通常在売温为80~90℃,器件可用的连续工作电流只有Tc=25℃时 额定值Id的60%~70%。
(3)漏源通态电阻RDS(ON)
该参数是在栅源间施加一定电压 (10~15V )时,漏源间的导通电阻。漏源通态电阻RDS(on)直接影响器件的通态压降及损耗,通常额定电压低、电流大的器件RDS(on)较小。此外,RDS(on)还与驱动电压及结温有关。增大驱动电压可以减小RDS(on)。RDS (on)具有正的温度系数,随着结溫的升高而增加, 这一特性使MOSFET并联运行较为容易。
(4)栅源电压UGS
由于栅源之间的SIO2绝缘层很薄,当|UGS|>20V时将导致绝缘击穿。因此在焊接,驱动等方面必须注意。
(5)跨导Gfs
在规定的工作点下,MOSFET转移特性曲线的斜率称为该器件的跨导。即

(6)极间电容
MOSFET的3个电极之间分别存在极间电容CGS,CGD和CDS。一般生产厂商提供的是漏源极短路时的输入电容,Ciss共源极输出电容Coss和反向转移电容Crss。它们之间的关系是:

尽管电力MOSFET是用栅源间电压驱动,阻抗很高,单由于存在输入电容Ciss,开关过程中驱动电路要输入电容冲放电。这样,用作高频开关时,驱动电路必须具有很低的内阻抗及一定的驱动电流能力。

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